以氧化锌为主要原材料经高温烧制而成的半导体电阻器

用于线路上产生瞬间过电压和静电场的辐射的防护。


特征

1 SMD型适用于高密度安装;流容量和能量耐量

2 双向对称非线性V-I限压曲线;

3 优异的限压比和快速响应时间(<0.5ns)

4 较高的耐受冲击能力以及性能稳定性;

5 优秀的可焊性(Ni,Sn镀层)。


应用

„ 高速数据线(如HDMI、USB 3.0、IEEE 1394接口、射频天线、射频模块)的ESD保护;

„ 视频和音频线I / O端口的ESD保护;

„ IC和晶体管的瞬态电压保护,用于移动通信、计算机/ EDP、LCD模块、手持/便携式设备、PDA等。


产品参数

类别

尺寸

L×W×Tmm

最大工作电压

VDCV

电容量

@1MHzpF

最大浪涌电流

Ip@8/20μsA

QV0201*E

0.60×0.30×0.30

5.59

0.180

110

QV0402*E

1.00×0.50×0.50

5.530

0.1230

120

QV0603*E

1.60×0.80×0.80

5.530

0.1820

130

QV0805*E

2.00×1.25×0.85

5.538

202000

3150