采用锰、钴、镍等金属氧化物经高温烧制而成的半导体电阻器,对温度变化的敏感度极高,

电阻值随着本体温度升高而降低,用于线路中温度检测和控制。



1. 瓷体表面采用玻璃包封,耐潮湿性能好,可靠性与稳定性高;

2. 体积小,无引线,焊接性能优良,适合高密度表面贴装;

3. 工作温度范围广:-40℃~+125℃;

4. 高精度的电阻值和B值常数。

应用

· 温度测量:电子温度计、电子万年历、电子钟温度显示、电子礼品等;

· 温度控制:手机、汽车电话、笔记本电脑、智能穿戴设备等设备充电电池的温度传感;

· 温度补偿:移动通信设备的晶体管、IC和晶体振荡器的温度补偿。


产品参数

类别

尺寸

L×W×Tmm

电阻值R25   (kΩ)

B值常数(25/50)   (K)

允许工作电流

(25℃) (mA)

耗散系数

(mW/℃)

热时间常数

(秒)

QN0201

0.60×0.30×0.30

1.0220

33804485

0.061.00

1.0

3

QN0402

1.00×0.50×0.50

1.0680

33804500

0.031.00

1.0

3

QN0603

1.60×0.80×0.80

1.01300

33804500

0.021.00

1.0

5

QN0805

2.00×1.25×0.85

1.01300

33804500

0.021.40

1.0

5

QN1206

3.20×1.60×0.85

101300

33804500

0.030.66

1.5

8